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《三维存储芯片技术》
来源:   作者:   编辑:   时间:2020-09-18   点击数:


作者:[圣马]里诺·米歇洛尼(Rino Micheloni)著 吴华强 高滨 钱鹤 译

ISBN:9787302531340


内容简介:

3D是一种全新的技术,不仅是因为它的多层结构,还因为它是一种基于新型NAND的存储单元。

在第1章介绍3D FLASH的市场趋势后,本书的2~8章介绍3D FlASH的工作原理、新技术以及应用架构,包括电荷俘获和浮栅技术(包括可靠性和可缩小性这两种性质在两种技术之间的对比,以及大量不同的材料和垂直架构)、3D堆叠NAND、BiCS和P-BICS、3D浮栅技术、3D VG NAND3D先进架构和RRAM交叉点阵列等。第9~12章探讨了3D FLASH的系统级先进技术,包括多级存储和芯片堆叠等封装技术创新;基于低密度奇偶校验码的最新商业解决方案的演化进程;TLC/QLC与若干3D层的组合需要的非对称代数码和非二进制LDPC码等校正技术;以及从系统的角度看3D Flash的含义。